PT100 CR1000半成品 _Campbellsci论坛问答

你好

我正在尝试将PT100连接到Campbell C1000数据记录器。我知道电线的电阻,更喜欢对电阻进行双线测量,然后对电线的电阻进行校正。我正在使用BrHalf命令。

PT100 CR1000半成品
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我试着用120欧姆的基准做一个简单的2线电桥测量(我知道电阻需要等于要测量的电阻)。然而,我无法从传感器中获得测量值,闭合或打开回路会给我大约0.08 mV的读数。

我的第一个问题是如何连接:C1000手册显示Vx(我将此连接到激励通道)、V1(我将其连接到H通道)和Grnd(我将哪个连接到地)。这样可以吗?

谢谢

亨克·维特

新对话如下:

亨克,

正如您所说,传感器是一个电阻随温度变化的可变电阻器。PT100有多种封装方式。

最基本的封装将有两个引线,电阻元件的每一侧一个引线。CR BrHalf测量说明的基本帮助显示了半桥电路的示意图。在这个例子中,匹配/已知/120欧姆的电阻器是“欧姆”;Rf”;并且PT100是“1”;Rs”;。考虑到这一点,120欧姆电阻器的一条腿应该连接到记录仪上的VX。另一条腿应该连接到一个单端通道。PT100的一条腿应该连接到同一个单端通道。PT100的另一条腿将接地。

这种配置是创建一个半桥或分压器,其中一半是已知电阻,另一半是可变电阻。通过了解两个电阻器(VX)的压降并测量可变电阻器(PT100)的压降,您可以计算PT100的电阻,然后计算您的温度。

山姆

*最后更新者:Sam于2009年8月10日下午1点56分*

新对话如下:

你好,山姆,

感谢您的回答,我已经根据帮助文件中的示意图连接了传感器。此外,我已经测量了电压,我可以看到电路中激励通道的脉冲。

然而,我并没有从BrHalf语句中得到好的结果,特别是:

-该范围内除mV2500以外的任何值都会导致NAN(与所提供的励磁水平无关)
-X的值取决于提供的励磁电压,因为X是提供的电压(Vx)和测量的电压(V1)之间的比率,所以不应该是这种情况!
-如果我改变传感器的温度,我可以看到随着电阻的变化,通过电路的电压会发生变化,但我看不到X的相应变化

任何进一步的帮助都将被告知。传感器+电缆的电阻在0摄氏度时为114欧姆。

亨克·维特

新对话如下:

亨克,

你能公布你的代码吗?甚至可以通过电子邮件给我一张你设置的数字图片或电气原理图?您的代码如下所示吗?

sutley公司


浮动公共电压比率

开始进度
扫描(1,秒,0,0)
BrHalf(电压比率,1,自动范围,1,Vx1,12500,真值,0,_6Hz,1.0,0)
下一次扫描
结束程序

新对话如下:

你好

使用下面的代码,我尝试了很多不同的参数,原理图如示例所示:EX3和通道8之间的电阻器(我尝试了H和L),通道8 H或L连接到PT100,从PT100返回到地。我怀疑电阻可能太小,输入通道的电流太大,我会尝试一些更大的电阻。

与代码的主要区别在于,我没有明确地将VoltRatio(程序中的X)定义为Float。

然而,我也必须开始测量,所以我决定只使用热电偶,并手动使用PT100,用手持万用表获得一些参考温度。

代码是(如您所见,我还在多路复用器上测量25个热电偶):

公共树,PT100,X
公共TC(25)

数据表(DatSec,1,-1)
数据间隔(0,10,秒,10)
示例(1、PTemp、IEEE4)
示例(1、X、IEEE4)
示例(1、PT100、IEEE4)
样本(25,TC(1),IEEE4)
床头柜

开始进度
扫描(5,秒,0,0)
BrHalf(X,
mV2500(尝试了不同的设置,也自动调整范围)
,8,Vx3,1,
50,(在50-2500之间尝试不同)
假的(试过的真的和假的)
,100(尝试不同的沉淀时间)
,250,1.0,0)
PT100=125.2747*绝对值(X/(1-X))
AM25T(TC(),25,mV2_5C,1,1,K型,Tref,1,2,Vx1,True,0,_50Hz,1.0,0)
调用表DatSec
下一次扫描
结束程序

新对话如下:

我怀疑电阻可能太小,输入通道的电流太大,我会尝试一些更大的电阻。


如果您使用的是120欧姆电阻和114欧姆电阻的传感器,我怀疑情况是否如此。如果两个支路相等,激励为2500mV,则PT两端的电压降约为1250mV。

新对话如下:

你提到正在使用8频道嗨还是L?

在BrHalf指令中,您使用的是单端输入。因此,信道8指的是SE信道8(即Diff信道4)。SE通道编号序列位于Diff通道上方标有SE的行上(我认为文本颜色为蓝色)。

新对话如下:

我错过了手册中SE编号的事实,如果我使用通道15或16,它会起作用!记录器内置在一个外壳中,所以很难看到数字等(如果我松开框架螺钉,我只能设法把螺丝刀拿进去,所以这是我的借口)

非常感谢,

亨克·维特

新对话如下:

您最好使用一个更高值的电阻器(10k),并在较低的范围内测量PRT两端的电压,例如25mV,这既可以减少功耗,但更重要的是避免传感器的自发热,这在通过电桥输入10mA时可能很重要,尽管时间很短。

新对话如下:

我相信你的意思是说,当使用5伏励磁时,使用250 mV范围代码和10k欧姆电阻器和100欧姆PRT?

新对话如下:

如果CR1000可能输出5V激励,但最大限制为2500 mV。即使在2500 mV时,也有超过25 mV的风险,因此,但为了获得最佳测量分辨率(仅限于PT100上的半桥测量),您需要平衡最佳范围(通常为25mV)和所使用的激励电压,以便在您想要测量的最高温度下的输出处于记录仪输入范围的顶部。

本手册第4节对此进行了详细讨论:

http://www.campbellsci.com/documents/manuals/3whb.pdf

该表中给出的励磁电压与温度的关系仍然适用于简单的半桥,尽管您需要增加电缆电阻的余量。所需的程序将略有不同,以允许对电缆进行校正。

新对话如下:

非常感谢所有有用的建议和意见。

我还有一个问题:如何最简单地测量0-10V信号(这似乎是大多数传感器的标准配置)?

我知道输入通道限制在-5+5V?

亨克·维特

新对话如下:

为此,我们提供了一个精确除法器,用于对一个差分或两个单端输入进行除法器。

请参阅:

http://www.campbellsci.com/vdiv2_1

还有一个10:1的除法器。

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