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我正在设置一个Eppley PIR。它似乎有效，但我不确定它的准确性。我得到的值大约是430W/m^2，但即使我盖住传感器，它也不会改变。通过查看所有的输入locs，我发现该值主要由外壳温度控制。我将附加程序和我的inloc值。我正在使用中的程序示例http://www.campbellsci.com/documents/technical-papers/eply-pir.pdf

;埃普利PIR 32233F3
5:电压（差）（P2）
1:1代表
2：1 2.5 mV慢速范围
3:6 DIFF通道
4:19位置[PIR_mV]
5:1乘法器
6:0偏移

6:交流半桥（P5）
1:2代表
2:15 2500 mV快速范围
3:9 SE通道
4:3激励所有代表w/交换3
5:2500 mV励磁
6:9位置[dome_aresit]
7:1.0乘数
8:0.0偏移

7:BR变换Rf[X/（1-X）]（P59）
1:2代表
2:9个位置[dome_aresit]
3:978乘数（Rf）

8:Z=F x 10^n（P30）
1:1.0295英尺
2:-3 n，指数为10
3:11 Z位置[结构]

9:Z=F x 10^n（P30）
1:2.391英尺
2:-4 n，指数为10
3:12 Z位置[结构B]

10:Z=F x 10^n（P30）
1:1.568英尺
2:-7 n，指数为10
3:13 Z位置[构造]

11:Z=LN（X）（P40）
1:10 X位置[case_resist]
2:14 Z位置[LN_CaseResist]

12:Z=X*Y（第36页）
1:12 X位置[构造B]
2:14 Y位置[LN_CaseResist]
3:15 Z位置[B_LN_Resist]

13:Z=X*Y（第36页）
1:14 X位置[LN_CaseResist]
2:14 Y位置[LN_CaseResist]
3:16 Z位置[LN_Case_square]

14：Z=X*Y（第36页）
1:14 X位置[LN_CaseResist]
2:16 Y位置[LN_Case_square]
3:17 Z位置[LN_Case_Cube]

15:Z=X*Y（第36页）
1:13 X位置[构造]
2:17 Y位置[LN_Case_Cube]
3:17 Z位置[LN_Case_Cube]

16:Z=X+Y（第33页）
1:11 X位置[结构]
2:15 Y位置[B_LN_Resist]
3:18 Z位置[Case_temp]

17:Z=X+Y（第33页）
1:18 X位置[Case_temp]
2:17 Y位置[LN_Case_Cube]
3:18 Z位置[Case_temp]

;外壳温度（开尔文）
18:Z=1/X（第42页）
1:18 X位置[Case_temp]
2:24 Z位置[Case_tempK]

;将输出转换为W/m2
19:Z=X*F（第37页）
1:19 X位置[PIR_mV]
2:246.91英尺
3:20 Z位置[PIR_Aterm]

20:Z=F x 10^n（P30）
1:4英尺
2:0 n，指数为10
3:21 Z位置[功率4]

21:Z=X ^Y（第47页）
1:24 X位置[Case_tempK]
2:21 Y位置[功率4]
3:18 Z位置[Case_temp]

22:Z=F x 10^n（P30）
1:5.669英尺
2:-8 n，指数为10
3:22 Z位置[PIR_Bterm]

23：Z=X*Y（第36页）
1:22 X位置[PIR_Bterm]
2:18 Y位置[Case_temp]
3:22 Z位置[PIR_Bterm]

24：Z=X+Y（第33页）
1:20 X位置[PIR_Aterm]
2:22 Y位置[PIR_Bterm]
3:23 Z位置[PIR_瓦特]

PIRBterm是温度偏移
PIR Aterm是mV读数*计算量，您可以在下面看到它是最小值。

一些在本地：
案例温度K-292
PIR_毫伏-0.0046743
PIR瓦特-436.82
短期PIR-1.541360
PIR Bterm-435.669

谢谢