大家好，
仍然有点过时，但我有5个车站仍在运行CR10。我尝试添加P200 Steinhart-Hart方程，将热敏电阻读数转换为C。CR10无法识别P200。能否升级CR10上的操作系统，使我们能够运行p200？
谢谢
CR10中的操作系统位于可编程只读存储器芯片上，该芯片在CSI中被烧毁。可以刻录特殊的PROM芯片，这些芯片具有标准PROM中通常找不到的附加指令。不幸的是，指令200不是用于特殊PROM的选项之一。然而，您仍然可以使用标准处理指令将Steinhart-Hart方程编码到CR10中。将它制作成一个子例程，并根据需要从主程序中多次调用它。
谢谢
我想我可能不得不做一些不同的事情。那么，你所说的标准处理是指一次完成一个处理指令的步骤吗？基本上是一个drwoan out的数学方程（P200绕过的那个；-））
布瑞恩
基本上是一个drwoan out的数学方程（P200绕过的那个；-））
准确地说；-）
例如，参见本手册第8页程序示例5.2.1.1，其中给出了CR10X的程序（并非所有程序都有P200）
http://www.campbellsci.com/documents/manuals/109.pdf
辅助电源
好吧，我现在正在玩这个。你在哪里进入阻力？是P37吗？以下是我在CR10X上使用的程序。
;****-------------------------------------------------*****
;YSI热敏电阻程序
1：励磁延迟（SE）（P4）
1:1代表
2:5 2500 mV慢速范围
3:5 SE通道
4:2激励所有代表w/交换2
5:4延迟（0.01秒单位）
6:2500 mV励磁
7:1位置[Therraw1]
8:.0004乘数
9:0.0偏移
2：延迟励磁（P22）
1:1防爆通道
2:0延迟W/Ex（0.01秒单位）
Ex:3延迟（0.01秒单位）
4:0000 mV励磁
3:BR变换Rf[X/（1-X）]（P59）
1:1代表
2：1位置[Therraw1]
3:.975乘数（Rf）
;**************在此处插入正确的电阻***********************
4:Z=X*F（第37页）
1:1 X位置[Therraw1]
2:1000英尺
3：1 Z位置[Therraw1]
5:斯坦哈特-哈特方程（P200）
1:1代表
2：1源Loc（R）（欧姆）[Therraw1]
3:5目的地点（摄氏度）[YSI_TEMP]
4:1.46764安培
5:-3 x 10^n
6:2.38338磅
7：-4 x 10^n
8:1.01194摄氏度
9:-7 x 10^n
********************************************************
*最后更新人：BNZLTER于2008年4月11日上午11:02*
知道了！！
那个节目帮助不大，但大多令人困惑！我需要做的比109程序更简单。最有用的是我在网上找到的Steinhart-Hart excel表。
如果有人需要，请告诉我。
这是我从YSI 44033RC获得C温度的程序
1：励磁延迟（SE）（P4）
1:1代表
2:5 2500 mV慢速范围
3:6 SE通道
4:2激励所有代表w/交换2
5:4延迟（0.01秒单位）
6:2500 mV励磁
7：1个位置[TherRaw]
8:.0004倍数
9:0.0偏移
2：延迟励磁（P22）
1:1防爆通道
2:0延迟W/Ex（0.01秒单位）
Ex:3延迟（0.01秒单位）
4:0 mV励磁
3:BR变换Rf[X/（1-X）]（P59）
1:1代表
2：1个位置[TherRaw]
3:.978乘数（Rf）
4:Z=X*F（第37页）
1:1 X位置[热原始]
2:1000英尺
3:1 Z位置[热原始]
5:Z=LN（X）（P40）
1:1 X位置[热原始]
2:2 Z位置[LN_THERM]
6:Z=X*F（第37页）
1:2X位置[LN_THERM]
2:.01英尺
3:3 Z位置[Scal_THRM]
7：多项式（P55）
1:1代表
2:3 X位置[Scal_THRM]
3:4 F（X）位置[poly_rslt]
4:.00147 C0
5:.02386 C1
6:0平方厘米
7:0.1002立方厘米
8:0.0 C4
9:0.0 C5
8:Z=1/X（第42页）
1:4 X位置[poly_rslt]
2:5 Z位置[RawTempK]
9:Z=X+F（第34页）
1:5 X位置[RawTempK]
2:-273.15英尺
3:6 Z位置[温度C]
